AT&S in der heißen Phase in Chongqing (Elke Koch)

Während das Kalenderjahr 2015 zu Ende geht, finalisieren wir bei AT&S gerade das dritte Quartal (1.10. – 31.12.2015). Auch in diesem Quartal war die Nachfrage von den Kundensegmenten sehr gut, die Details dazu gibt es am 28. Januar 2016.

Was uns abgesehen vom extrem temporeichen „daily business“ derzeit enorm beschäftigt, ist natürlich der Werksaufbau in Chongqing.

Kurz zur Erinnerung: ein Capex von EUR 480 Mio. bis Mitte 2017 für 2 Linien IC-Substrate (für einen führenden Kunden aus der Halbleiterindustrie) und 2 Linien substrat-ähnliche Leiterplatten (in einem ersten Schritt für mobile Endgeräte wie Wearables, etc.)

Die gute Nachricht - wie schon anlässlich der Präsentation der Halbjahreszahlen und auch im Rahmen von diversen Investorenkonferenzen/-Calls der letzten Wochen kommuniziert -: das Projekt ist nach wie vor im Zeit- und Budgetplan, es gibt keine Verzögerungen.

Aktuell befinden wir uns kurz vor dem Start der Zertifizierungsphase:
das muss man sich tatsächlich als Phase und nicht als „Datum xy“ vorstellen! Diese Phase läuft über rund 6 – 8 Wochen und beinhaltet zum Beispiel extreme thermische Stress-Tests bis zu rein funktionalen Tests, im Rahmen deren alle Bestandteile eines Prozessors auf dem Mikrochip (IC) bestückt, auf das IC-Substrat eingehaust und in weiterer Folge auf eine Leiterplatte aufgebracht und auf High-Performance getestet werden.

AT&S hat bis dato alle Anforderungen sehr gut erfüllt, wir sind mit dem Fortschritt – auch aufgrund des Feedbacks des Technologie-Partners - sehr zufrieden: in nur drei Jahren haben wir eine völlig neue, extrem anspruchsvolle Technologie gemeinsam mit dem Technologie-Partner und Initialkunden zur Industrialisierung ready . Nun liegen die weiteren Schritte in den Händen des Initialkunden, der diese Zertifizierung durchführen wird.

Wir werden nach Abschluss dieser Phase, voraussichtlich zu Beginn des Kalenderquartals, die erfolgreiche Zertifizierung entsprechend offiziell kommunizieren.

Im Anschluss an die Zertifizierung werden wir den Start der Volumensproduktion der 1. Produktionslinie IC-Substrate im ersten Kalenderquartal 2016 (für AT&S ist das das 4. Geschäftsquartal 1.1. – 31.3.2016) aufnehmen. Das ist ein Schritt für Schritt-Prozess über einen gewissen Zeitraum und kein „Knopfdruck“. Eventuelle Learnings aus diesem Ramp werden wir beim Hochfahren der 2. IC-Substrate Produktionslinie einige Monate später (spätestens im 3. Geschäftsquartal 2016/17, d.h. 1.10. – 31.12. 2016), umlegen. Das Equipment der 2. Linie IC-Substrate ist derzeit in Bestellung.

Update zu Werk Chongqing Werk 2:
Die 1. Produktionslinie der substrat-ähnliche Leiterplatten werden wir wie geplant ab dem 2. Halbjahr des Kalenderjahres 2016 rampen. Die Technologie dafür entwickelten wir bereits in einer Testlinie im Werk in Shanghai, wo wir derzeit auch erste geringe Test-Mengen von substrat-ähnlichen Leiterplatten erfolgreich herstellen. 

Ganz zum Schluss noch eine kurze Anmerkung zu einer Technologie, die derzeit am Radar von einigen Technologieinvestoren- bzw. Analysten steht:
ein taiwanesisches Halbleiter-Fertigungs-Unternehmen namens TSMC soll laut Marktgerüchten 2016 mit einer Technologie namens „InFO“ bestimmte IC-Substrate substituieren. Sofern diese Technologie, die sich seit einigen Jahren in Entwicklung befindet, tatsächlich in den Markt erfolgreich eingeführt werden sollte, könnte sie nur eine bestimmte Form von IC-Substraten mit geringerer Performance-Anforderung (ca. 1.000 Anschlusspunkte) für mobile Endgeräte ersetzen (Flip Chip Scale Packaging od. FC CSP Substrate).

Die von AT&S in Chongqing künftig hergestellten IC-Substrate (Flip Chip Ball Grid Array od. FC BGA Substrate) erfordern rund 16 Mal mehr Anschlusspunkte und sind für höhere Performance-Anwendungen wie etwas bei Notebooks, PCs notwendig.

Allen AT&S investierten und interessierten Leserinnen und Lesern wünschen wir ein wunderschönes Weihnachtsfest und entspannte Feiertage! We keep you posted.

Christian Drastil: Wiener Börse Plausch

Börsepeople im Podcast S22/09: Katharina Hader

Bildnachweis

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