Transphorm, Inc. (OTCQB: TGAN) – ein Pionier und weltweiter Anbieter von hochzuverlässigen Hochleistungs-Galliumnitrid-Leistungswandlungsprodukten (GaN) – gab heute die Verfügbarkeit seiner neuesten Entwicklungsplatine, der TDTTP4000W065AN, bekannt. Diese Platine ist für die einphasige AC/DC-Leistungsumwandlung bis zu 4 Kilowatt (kW) ausgelegt und verwendet die brückenlose „Totem-Pole Power Factor Correction“-Topologie (PFC) mit einer herkömmlichen analogen Steuerung. Diese Paarung ermöglicht einen schnellen und einfachen Zugriff auf den erstklassigen Umwandlungswirkungsgrad, der durch die neuesten SuperGaN™-FETs von Transphorm ermöglicht wird, ohne dass bei der Verwendung von digitalen Signalcontrollern (DSCs) eine Firmware-Entwicklung erforderlich ist.

Diese Pressemitteilung enthält multimediale Inhalte. Die vollständige Mitteilung hier ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20200901006115/de/

Transphorm's TDTTP4000W065AN evaluation board is a 4 kW analog totem-pole design tool for AC-to-DC power solutions. (Photo: Business Wire)

Ansteuerung der GaN-Einführung mit RDDR

Der Innovationspfad von Transphorm für seine Hochspannungs-GaN-Plattform und die damit verbundenen Designwerkzeuge konzentriert sich auf die klassenbeste GaN-Zuverlässigkeit (Reliability), einfache Designbarkeit (Designability), einfache Ansteuerbarkeit (Drivability) und Reproduzierbarkeit (Reproducibility) in hohen Stückzahlen (RDDR). Zu diesem Zweck bietet die TDTTP4000W065AN Ingenieuren von Energiesystemen eine Effizienzsteigerung gegenüber Standard-CCM-Boost-PFC-Designs, die Superjunction-MOSFETs verwenden.

Das Evaluierungskit ist für 4 kW Highline (180-260 V) und 2 kW Lowline (90-120 V) ausgelegt. Die Hauptvorteile der analogen Totem-Pole-Lösung folgen:

• Wartungsleistung – Leistung, die zur Unterstützung grundlegender Funktionen wie das Einschalten und die Versorgung von Chipsätzen erforderlich ist – ist in jedem System ein relativ fester Betrag. Wenn der Leistungspegel einer Anwendung abnimmt, wird die Wartungsleistung daher zu einem größeren Prozentsatz der gesamten Verlustleistung des Systems. Im Vergleich zu einer DSP-Lösung erfordert diese Platine von Transphorm zu Beginn eine geringere Wartungsleistung, wodurch die Gesamteffizienz des Systems erhöht wird.
• Es ist keine DSP-Firmware-Programmierung erforderlich, geeignet für Standard-CCM-Boost-AC-to-DC-PFC-Leistungsstufen.

Für Ingenieure, die mehr Designflexibilität benötigen, hat Transphorm Anfang des Jahres die TDTTP4000W066C herausgebracht. Diese DSC-basierte 4-kW-Wechselstrom-zu-Gleichstrom-BKK-Platine auf DSC-Basis verwendet auch die brückenlose Totem-Pole-BKK mit den SuperGaN-FETs des Unternehmens. Allerdings integriert es eine dsPIC33CK-DSC-Platine von Microchip, die vorprogrammiert wurde und durch einen dedizierten Firmware-Support unterstützt wird.

„Diese Platine von Transphorm bietet eine beispiellose Möglichkeit, auf einfachste Weise auf unser hocheffizientes GaN zuzugreifen. Ähnlich wie die vorhergehende digitale Platine bietet diese Platine den Energiesystemingenieuren eine Auswahlmöglichkeit, die dem Markt für Hochspannungsbauteile bisher fehlte“, sagte Philip Zuk, VP of Worldwide Technical Marketing and NA Sales, Transphorm. „Unabhängig vom angestrebten Nutzenversprechen der Endanwendung verfügen wir über das vielfältigste Toolset und das robusteste GaN, das möglich ist, um Ihnen zum Erfolg zu verhelfen.“

SuperGaN-Geräte: Leistung über Superjunction-MOSFETs hinaus

Die TDTTP4000W065AN verwendet Transphorms „SuperGaN Gen IV“-TP65H035G4WS FETs in dieser Platine als schnell schaltendes Bein mit niederohmigen Silizium-MOSFETs im langsam schaltenden Bein. Die resultierende Leistung ist vergleichbar mit der ihres digital gesteuerten Gegenstücks, der TDTTP4000W066C.

Die TP65H035G4WS ist ein 650-Volt-Gerät mit einem Einschaltwiderstand von 35 Milliohm in einem TO-247-Durchsteckgehäuse mit einem inhärent hohen Wärmeableitungsvermögen. Diese Eigenschaft macht parallele Geräte für eine höhere Ausgangsleistung überflüssig, eine Designmethode, die bei konkurrierenden oberflächenmontierbaren GaN-Lösungen erforderlich ist. Und wie alle anderen Transphorm-GaN-Bauelemente können auch die SuperGaN-FETs mit einer Schwellenspannung (Vth) von 4 Volt und einem handelsüblichen Gate-Treiber von 0 bis 12 Volt betrieben werden.

Verfügbarkeit

Die TDTTP4000W065AN-Entwicklungsplatine ist derzeit über Digi-Key und Mouser erhältlich.

Über Transphorm

Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen im Bereich der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Stromwandlungsanwendungen. Mit einem der größten Portfolios an geistigem Eigentum im Bereich Energie-GaN von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-zertifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das vertikal integrierte Geräte-Geschäftsmodell des Unternehmens ermöglicht Innovation in jeder Entwicklungsphase: Design, Herstellung, Geräte- und Anwendungssupport. Die Innovationen von Transphorm führen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, 40 % mehr Energiedichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, Kalifornien, und verfügt über Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa.

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